【摘 要】
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研究了在TFT制备过程中,直流溅射和交流溅射生长铟镓锌氧薄膜对器件的转移特性和栅偏压应力特性的影响。交流溅射生长的IGZO制备的器件具有较低的阈值电压和较好的亚阈特性,
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研究了在TFT制备过程中,直流溅射和交流溅射生长铟镓锌氧薄膜对器件的转移特性和栅偏压应力特性的影响。交流溅射生长的IGZO制备的器件具有较低的阈值电压和较好的亚阈特性,分别为0.937 V和0.34 V/dec;而直流溅射得到的阈值电压和亚阈值摆幅则分别是:1.78V和0.50 V/dec。对于稳定性,在30 V的栅极应力下,直流溅射得到的器件的阈值电压漂移则相对小一些。本文通过分析直流和交流溅射的过程中薄膜的沉积情况,阐述了上述现象产生的原因。
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