【摘 要】
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采用闭管As气氛保护高-低-中温热处理方法进行非掺SI-GaAs单晶热处理的研究,结果表明晶体的特性有明显的改善,一般晶体的迁移率可提高一倍以上,在Φ3英寸非掺SI-GaAs单晶研究中,其晶体的电阻率不均匀
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采用闭管As气氛保护高-低-中温热处理方法进行非掺SI-GaAs单晶热处理的研究,结果表明晶体的特性有明显的改善,一般晶体的迁移率可提高一倍以上,在Φ3英寸非掺SI-GaAs单晶研究中,其晶体的电阻率不均匀性≤15%;EL2RSD≤5%;PL-Map-ping≤9%。
The results show that the crystal properties are obviously improved, and the general crystal mobility can be more than doubled. Under the condition of Φ3 Inch non-doped SI-GaAs single crystal study, the crystal resistivity of non-uniformity of ≤ 15%; EL2RSD ≤ 5%; PL-Map-ping ≤ 9%.
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