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研究了18V漏板延伸金属氧化物半导体场效应晶体管（DEMOS）在高栅极电压下的热载流子注入效应。实验观察到两种失效模式，分别是热空穴的注入效应和高栅压导致的阈值电压增大，发现其对器件损伤分男4局限在漏极区域和沟道区域，对器件的性能影响正好相反，前者减少了漏极串联电阻，而后者增大了沟道电阻。描述了这两个失效模式的物理过程，分析并讨论了器件参数的退化曲线。讨论了如何提高DEMOS在高栅压下的抗热载流子的能力，指出了漏极上方的氧化层的质量和栅极氧化层中自由电荷数量，对于提高器件的可靠性至关重要。