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Si基共振腔型光电探测器的关键工艺是隐埋 Bragg反射器镜面的制备 .用 PECVD方法在 Si衬底上制备了 Si Ox Ny/Si Bragg反射器 ,研究了 Bragg反射器的反射谱和退火行为 .
用于共振腔光电探测器的Si基Bragg反射器
【摘 要】
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Si基共振腔型光电探测器的关键工艺是隐埋 Bragg反射器镜面的制备 .用 PECVD方法在 Si衬底上制备了 Si Ox Ny/Si Bragg反射器 ,研究了 Bragg反射器的反射谱和退火行为 .
【机 构】
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InstofSemiconductors
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2000年5期
【基金项目】
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国家自然科学重大基金!698962 60项目,,国家自然科学重点基金!6978980 2项目,,“863”国家高技术计划!863 -3 0 7-1 5-4 ( 0 3 )
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