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利用拉格朗日函数给出介观电感耦合电路体系的哈密顿量，通过引入一幺正算符使体系哈密顿算符对角化。借助于广义Hellmann—Feynman定理，讨论了有限温度下电路体系中电荷及其共轭量的量子涨落。结果表明，体系中电荷及其共轭量的量子涨落不仅与电路元件参数有关，而且还与温度有关。
有限温度下介观电感耦合电路的能量与量子涨落
【摘 要】
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利用拉格朗日函数给出介观电感耦合电路体系的哈密顿量，通过引入一幺正算符使体系哈密顿算符对角化。借助于广义Hellmann—Feynman定理，讨论了有限温度下电路体系中电荷及其共
【机 构】
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聊城大学物理科学与信息工程学院
【出 处】
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量子电子学报
【发表日期】
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2009年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金（10574060）和聊城大学科研基金（X071045）资助项目
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