【摘 要】
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针对部分耗尽结构绝缘体上硅(silicon-on-insulator,SOI)器件低频噪声特性展开实验与理论研究.实验结果表明,器件低频噪声主要来源于Si O2-Si界面附近缺陷态对载流子的俘获与
【机 构】
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暨南大学信息科学与技术学院; 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室; 中国电子科技集团公司第五十八研究所;
【基金项目】
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国家自然科学基金(批准号:61204112,61204116);中国博士后科学基金(批准号:2012M521628);SOI研发中心基金(批准号:62401110320)资助的课题~~
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针对部分耗尽结构绝缘体上硅(silicon-on-insulator,SOI)器件低频噪声特性展开实验与理论研究.实验结果表明,器件低频噪声主要来源于Si O2-Si界面附近缺陷态对载流子的俘获与释放过程;基于此理论可提取前栅和背栅氧化层界面附近缺陷态密度分别为8×1017eV-1·cm-3和2.76×1017eV-1·cm-3.基于电荷隧穿机理,在考虑隧穿削弱因子、隧穿距离与时间常数之间关系的基础上,提取了前、背栅氧化层内缺陷态密度随空间的分布情况.此外,SOI器件沟道电流归一化噪声功率谱密度随沟道长度的增加而线性减小,这表明器件低频噪声主要来源于沟道的闪烁噪声.最后,基于电荷耦合效应,分析了背栅电压对前栅阈值电压、沟道电流以及沟道电流噪声功率谱密度的影响.
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