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聚硅烷(紫外光敏材料)的氧等离子体处理特性
聚硅烷(紫外光敏材料)的氧等离子体处理特性
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:huangjh9246
【摘 要】
:
红外吸收谱分析表明,聚硅烷在氧等离子体外理后转变成PSiOx中的x在1.5-2之间,其高频C-V特性曲线的平带电压为正,大小与氧等离子处理条件和PMPES厚度有关。
【作 者】
:
谢茂浓
傅鹤鉴
【机 构】
:
四川联合大学物理系,四川联合大学化学系
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
1999年6期
【关键词】
:
聚硅烷
氧等离子体处理
紫外光敏材料
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红外吸收谱分析表明,聚硅烷在氧等离子体外理后转变成PSiOx中的x在1.5-2之间,其高频C-V特性曲线的平带电压为正,大小与氧等离子处理条件和PMPES厚度有关。
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