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利用同步辐射光电子能谱技术研究了Ｇｄ在ＧａＡｓ（１００）表面的吸附。当吸附厚度小于０．４７ｎｍ时，界面反应弱；在０．４７￣０．９ｎｍ范围内，界面反应变得强烈；大于０．９ｎｍ时，界面反应停止。在吸附过程中Ｇｄ４ｆ首先是一单蜂结构，随着Ｇｄ的增加，Ｇｄ４ｆ演变为双蜂结构。根据对实验数据的分析，认为Ｇｄ在反应层上以团簇的形式吸附。