【摘 要】
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据日本《电子材料》1991年第2期报道,日本NTT公司研制采用新结构Bi-CMOS技术,电路的工作速度比以前高4倍.该公司用HSSST技术(High Performance SST)把结构微细化的双极电路和
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据日本《电子材料》1991年第2期报道,日本NTT公司研制采用新结构Bi-CMOS技术,电路的工作速度比以前高4倍.该公司用HSSST技术(High Performance SST)把结构微细化的双极电路和栅长0.2μm高性能CMOS制作在同一衬底上,并采用SiON隔离微细沟
According to Japan’s “Electronic Materials” No. 2, 1991 reported that Japan’s NTT company developed a new structure of Bi-CMOS technology, the circuit work faster than ever before.The company HSSST technology (High Performance SST) to miniaturize the structure Bipolar circuit and gate length 0.2μm high-performance CMOS production on the same substrate, and the use of SiON isolated fine groove
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