SemiSouth Laboratories公司日前宣布推出全新45毫欧、1200 V业界阻值最低的常开型沟槽SiC功率JFET产品系列。该公司是针对碳化硅(SiC晶体管进行技术研发和生产的领先制造商，其产品主要定位于高功率、高效率和恶劣环境电源管理和转换应用。这些突破性装置的主要应用领域包括太阳能逆变器、SMPS、感应加热、UPS、风能应用和电动机驱动。沟槽型SiC JFET系列于2008年首次推出，本装置是其第六代产品。该最新装置具有全球商用SiC晶体管最低的导通阻值
　　本产品之芯片片芯尺寸较小，且可提供业界最低的导通电阻RDS(开)，最大阻值仅为0.045Q，它具有恰当的低栅极电荷和固有电容，可实现高效、低损耗和高频率操作。除方便并联的正温度系数外，新型SJDP120R045 JFET还可提供迅速的切换且没有尾电流，TO-247封装的工作温度甚至高达175℃。此外，本产品还可为模块合作伙伴提供裸芯片(SJDC120R045)。在电压控制方面，JFET有数种简单的栅极驱动方案。
　　JFET有两种商业封装：TO-247(SJDP120R045)和裸芯片封装(SJDC120R045)，以便整合到高性能和高效率功率模块之中。本产品其应用范围为太阳能逆变器、汽车、医疗、风能应用、工业电源和其他市场。