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在Honolulu举办的2008Symposium on VLSI Technology技术论坛上,Intel Corp.的研究人员发布了新一代基于绝缘硅（SOI）通过埋层氧化层（BOX）储存电荷的浮体存储器单元（FBC）。针对一些专家提出的缩小尺寸将导致器件的荷电保持能力下降的疑虑，
Intel进一步缩小浮体存储器单元面积
【摘 要】
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在Honolulu举办的2008Symposium on VLSI Technology技术论坛上,Intel Corp.的研究人员发布了新一代基于绝缘硅（SOI）通过埋层氧化层（BOX）储存电荷的浮体存储器单元（FBC）。针对一些
【出 处】
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集成电路应用
【发表日期】
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2008年9期
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