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以场致发射原理为基础,对场致发射三极管器件结构进行有限差分的模拟计算.在保持其它参数不变的条件下,改变尖锥曲率半径、栅孔半径,分析对电场强度、发射电流密度及电子轨迹的影响.针对电子注的发散问题,讨论双聚焦情况.
场致发射三极管的结构模拟
【摘 要】
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以场致发射原理为基础,对场致发射三极管器件结构进行有限差分的模拟计算.在保持其它参数不变的条件下,改变尖锥曲率半径、栅孔半径,分析对电场强度、发射电流密度及电子轨迹
【机 构】
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山东大学
【出 处】
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山东大学学报(理学版)
【发表日期】
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2004年2期
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