【摘 要】
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基于光谱分布特征参数,设计了一种新型GaN 基白光LED 结温测量方法.该方法未考虑瞬时脉冲电流热效应,通过测量不同环境温度和瞬时脉冲电流下的LED 相对光功率分布,分析光谱分
【机 构】
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上海理工大学光电信息与计算机工程学院,常州工学院电气与光电工程学院
【基金项目】
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国家重点研发计划（2017YFF0210002）,江苏省产学研前瞻性项目（BY201603105）,2017江苏省“双创博士”项目.
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基于光谱分布特征参数,设计了一种新型GaN 基白光LED 结温测量方法.该方法未考虑瞬时脉冲电流热效应,通过测量不同环境温度和瞬时脉冲电流下的LED 相对光功率分布,分析光谱分布特征参数、驱动电流与结温之间的关联性.依据该关联性及实际工作时的光谱,即可求得结温.实验结果表明,与正向电压法和蓝白比法相比,本方法无需破坏产品结构就可更准确地测量LED结温.当GaN基白光LED功率为1W、脉宽为1ms时,平均误差小于1.5℃.
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