【摘 要】
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通过准分子 (30 8mm)激光将 (Ba1-xSrx)TiO3(BST)薄膜剥离沉积在Si(1 0 0 )基片上 .随着沉积温度的增加 ,BST薄膜的结晶性显著提高 .在 6 0 0℃附近沉积的BST薄膜 (40 0nm)有
【机 构】
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湖北大学物理学与电子技术学院,华中理工大学激光技术国家重点实验室
【基金项目】
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华中理工大学激光技术国家重点开放实验室基金资助
论文部分内容阅读
通过准分子 (30 8mm)激光将 (Ba1-xSrx)TiO3(BST)薄膜剥离沉积在Si(1 0 0 )基片上 .随着沉积温度的增加 ,BST薄膜的结晶性显著提高 .在 6 0 0℃附近沉积的BST薄膜 (40 0nm)有良好的结晶性 ,介电常数为30 0 ,损耗因子为 0 .0 1 5 ,漏电流密度达到 2× 1 0 -10 A/cm2 ,电荷存储密度QC 为 35fC/μm2 (外电场 1 2 .5kV/cm) .研究了MFS结构的C -V特性和I-V特性 ,BST/Si之间存在很好的界
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