【摘 要】
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在高温高压下合成方钴矿结构热电材料Ba_(0.32)Co_4Sb_(12-x)Te_x(0.1≤x≤0.9),测试了样品的微观结构和室温电学性质。结果表明:Ba填充Te置换型方钴矿Ba_(0.32)Co_4Sb_(12-x
【机 构】
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湘潭大学材料与光电物理学院,吉林大学超硬材料国家重点实验室,
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在高温高压下合成方钴矿结构热电材料Ba_(0.32)Co_4Sb_(12-x)Te_x(0.1≤x≤0.9),测试了样品的微观结构和室温电学性质。结果表明:Ba填充Te置换型方钴矿Ba_(0.32)Co_4Sb_(12-x)Te_x为n型半导体;在不同压力下,随着Te填充分数的增加,Seebeck系数的绝对值和电阻率均呈降低趋势,功率因子显著提高。在1.5 GPa、900 K条件下合成的Ba_(0.32)Co_4Sb_(11.9)Te_(0.1)化合物功率因子达到最大值(9.7μWcm~(-1)K~(-2))。
The microstructure and electrical properties at room temperature of Ba_ (0.32) Co_4Sb_ (12-x) Te_x (0.1≤x≤0.9) were synthesized at high temperature and high pressure. The results show that Ba_ (0.32) Co_4Sb_ (12-x) Te_x is the n-type semiconductor, and the absolute value of the Seebeck coefficient and the resistivity Reduce the trend, the power factor increased significantly. The power factor of Ba_ (0.32) Co_4Sb_ (11.9) Te_ (0.1) synthesized at 1.5 GPa and 900 K reached the maximum (9.7μWcm -1 K -2).
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