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介绍了一种宽带CMOS低噪声放大器设计方法,采用噪声抵消技术消除输入MOS管的噪声贡献.芯片采用TSMC0.25μm1P5M RF CMOS工艺实现.测试结果表明:在50-860MHz工作频率内,电压增益约为13.4dB;噪声系数在2.4-3.5dB之间;增益1dB压缩点为-6.7dBm;输入参考三阶交调点为3.3dBm.在2.5V直流电压下测得的功耗约为30mW.