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研究硅氢化反式-1,4-聚异戊二烯（Hs TPI）的制备与结构。反式-1,4-聚异戊二烯（TPI）的最佳硅氢化反应工艺参数为：反应温度105℃,反应时间12 h,催化剂相对TPI质量分数0.07,三乙基硅烷与TPI中乙烯基等摩尔。采用核磁共振氢谱和核磁共振硅谱表证Hs TPI的结构,确认三乙基硅烷接枝在TPI的碳-碳主链上。热重分析表明,Hs TPI的分解温度随着硅氢化度的增大而逐渐提高,热质量损失由TPI的一阶变为两阶。差示扫描量热分析表明,Hs TPI的玻璃化温度随着硅氢化度的增大而提高。X射线衍射分