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采用直流磁控溅射系统,在Si（100）衬底上制备了外延Mg2Si半导体薄膜。通过XRD和场发射扫描电子显微镜（FESEM）对Mg2Si薄膜的晶体结构和表面形貌进行表征,理论分析了Mg2Si薄膜的消光特性对Mg2Si薄膜外延取向的影响,得到了Mg2Si薄膜的外延取向特性。结果表明,在Si（100）衬底上,外延Mg2Si薄膜具有Mg2Si（220）的择优生长特性。