ZnO缓冲层相关论文
柔性Cu2ZnSn(S,Se)4 (CZTSSe)太阳能电池因具有材质柔软、可弯折、厚度薄、质量轻、功率质量比高、便于携带等优点在光伏领域中备......
随着经济的快速发展而带来的能源紧缺,人们对楼宇的门窗玻璃要求不再局限于遮风挡雨的基本功能,人们希望建筑玻璃窗口能够更加节能......
ZnO是一种II–VI族的宽禁带半导体材料,通过Mg的掺杂可以使其禁带宽度在3.3 e V到7.8 e V之间连续可调,由于在日盲区紫外探测方面......
ZnO基透明导电氧化物薄膜作为一种有望取代ITO薄膜的光电信息材料,具有原材料丰富、价格低、无毒,且在氢等离子体中稳定性相对较好......
作为一种直接带隙宽禁带化合物半导体材料，ZnO禁带宽度达到3.37eV，在可见光波段的透过率很高，可高达90%以上，且具有原材料丰富、价格低......
半导体ZnO室温下的禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，使其在紫外发光二极管、太阳能电池和激光器等方面有着广泛的应用前景，成为......
研究了作为缓冲层的ZnO薄膜在不同的退火时间、退火温度下退火对Si衬底上生长ZnSe膜质量的影响。当溅射有ZnO膜的Si(111)衬底的退......
采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上制备出以ZnO为缓冲层、稀土Eu3+掺杂的TiO2薄膜,研究了ZnO缓冲层退火温度对TiO2∶Eu薄膜的光致发光......
Two-step growth regimes were applied to realize a homoepitaxial growth of ZnO films on freestanding diamond substrates b......
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,接着溅射Ga2O3薄膜,然后ZnO/Ga2O3膜在开管炉中850 ℃常压下通氨气进行氨化,......
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在开管炉中分别以850℃,900℃,950℃和1 000℃等温度及......
利用射频磁控溅射法在Si（111）衬底上先溅射ZnO缓冲层，再溅射Ga2O3薄膜，然后在开管炉中不同温度下通氨气进行氨化反应生长GaN薄膜。分析......
ZIF-8因具有0.34nm的孔道直径而被认为是最具应用前景的气体分离膜材料之一。不锈钢网(SSN)作为分离膜的支撑体具有价格低廉、易于......
利用射频磁控溅射法在Si衬底上先溅射ZnO缓冲层,接着溅射Ga2O3薄膜,然后ZnO/Ga2O3膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,反应自组生成......
由于ZnO缓冲层对纤锌矿ZnO/Mg_xZn_（1-x）O有限深单量子阱结构左垒的限制作用,导致阱和右垒的尺寸、Mg组分值等因素将影响系统中形成......
进入21世纪,可移动电子设备与动力汽车快速发展,对电池的性能、安全性等提出了越来越高的要求,其中电解质是影响电池性能的重要部......
学位
采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上制备出以ZnO为缓冲层、稀土Eu3＋掺杂的TiO2薄膜，研究了ZnO缓冲层退火温度对TiO2：Eu薄膜的光致发光性能......
采用射频磁控溅射法，以纯度为99．9％，质量分数98％ZnO、2％Al2O3陶瓷靶为溅射靶材，在预先沉积了ZnO和Al2O3的玻璃衬底上制备了Al2O3掺杂的ZnO......
采用在石英炉中，氨化Ga2O3薄膜的方法，在Si（111）衬底上成功了制备GaN纳米结构薄膜：纳米线、纳米棒．分别用X射线衍射仪（XRD，Rigaku D／Max--rB......
P3HT： PCBM Based Solar Cells： A Short Review Focusing on ZnO Nanoparticles Buffer Layer, Post-Fabric
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采用直流反应磁控溅射法在Si衬底上引入ZnO缓冲层制备了沿（200）晶面择优取向生长的MgO薄膜，然后分别采用快速退火和常规退火两种不同......
采用射频磁控溅射法在不同厚度的ZnO缓冲层上制备了Al掺杂ZnO（AZO）薄膜.利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、紫外-可见分光光度计......
宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，尤其是ZnSe和ZnTe及其合金具有宽带隙、直接带跃迁、激子束缚能大等优点而作为蓝和蓝绿发光、激光以及在该......
研制了在传统双层有机电致发光器件(OLED)ITO/NPB/AlQ/Al的阳极与空穴传输层间加入ZnO缓冲层的新型器件。研究了加入缓冲层后对OLE......
采用射频磁控溅射法在ZnO缓冲层上制备了不同Al掺杂量的ZnO（AZO）薄膜。利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和光致发光（PL）等表征技术......
采用射频磁控溅射法制备出了适用于HVPE-GaN厚膜生长的ZnO缓冲层,利用X射线衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）和光致发光（PL）等分析方法表征......
用脉冲激光沉积法（PLD）先在600℃的Si（111）衬底上沉积ZnO薄膜,然后用磁控溅射法再沉积GaN薄膜。直接沉积得到的GaN薄膜是非晶结构,将样......
由于厚的GaN膜可有效降低位错密度，因而生长厚膜GaN已成为近几年的研究热点。本文利用生长速度较快的氢化物气相外延（HydrideVapor P......
GaN的带隙宽,化学性质稳定、耐高温、耐腐蚀,GaN基器件具有抗辐射、高频和大功率的特点,在光显示、光存储、光照明、光探测等光电......
文章简述了铜铟硒(CIS)薄膜电池的性能特点和研究现状,重点提出了影响其规模化推广的几个基础问题,包括:射频溅射法直接制备CIS薄......
近年来,纤锌矿结构的氮化镓(GaN)材料,由于可以制备高亮度蓝色与绿色发光二级管和紫外光电二级管、激光二极管、紫外光电探测器和......
