【摘 要】
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研究了材料、栅氧化层厚度和沟道长度对SiC VDMOS结构特性的影响。结果表明,4H-SiC器件具有更高的电流密度,因此,4H-SiC比6H-SiC更适合用于功率器件。对阈值电压和漏极电流的
【机 构】
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研究了材料、栅氧化层厚度和沟道长度对SiC VDMOS结构特性的影响。结果表明,4H-SiC器件具有更高的电流密度,因此,4H-SiC比6H-SiC更适合用于功率器件。对阈值电压和漏极电流的分析表明,在Vds=0.1 V、Vgs=15 V时,阈值电压随栅氧化层厚度的增大而线性增大,随沟道长度的增加而增大;而漏极电流密度则随栅氧化层厚度的增加而减小,随沟道长度的增加而减小。
The effects of material, gate oxide thickness and channel length on the structural characteristics of SiC VDMOS were investigated. The results show that, 4H-SiC devices have higher current density, therefore, 4H-SiC is more suitable than 6H-SiC for power devices. The analysis of the threshold voltage and the drain current shows that the threshold voltage increases linearly with the thickness of gate oxide and increases with the increase of channel length at Vds = 0.1 V and Vgs = 15 V. The pole current density decreases with the increase of gate oxide thickness and decreases with the increase of channel length.
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