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Ge基III-V族半导体材料(GaAs/Ge,GaInP/Ge)在外延过程中存在很多问题,主要是反向畴和异质界面间原子的互扩散。在As或者P气氛中对Ge衬底表面进行高温预处理,可以有效避免反向畴形成。采用较低的生长温度和生长速率,可以有效抑制异质界面间原子的互扩散。
Ge基III-V族半导体材料外延研究
【摘 要】
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Ge基III-V族半导体材料(GaAs/Ge,GaInP/Ge)在外延过程中存在很多问题,主要是反向畴和异质界面间原子的互扩散。在As或者P气氛中对Ge衬底表面进行高温预处理,可以有效避免反向
【机 构】
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中国人民武装警察部队学院
【出 处】
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廊坊师范学院学报：自然科学版
【发表日期】
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2018年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(61176128)
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