MOCVD反应器的最佳输运过程及其优化设计

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yifanvip
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
根据MOCVD过程薄膜生长的基本要求,总结出各种MOCVD反应器普遍适用的最佳输运过程的5个条件,即均匀浓度边界层、均匀速度边界层、均匀温度边界层、分隔进口但反应前混合均匀、以及迅速排出尾气不再发生混合.对照最佳输运过程条件,分别对水平式、行星式、垂直喷淋式、高速转盘式反应器进行了分析和讨论.水平式反应器的主要问题是反应物的沿程损耗、热对流涡旋以及侧壁效应,造成基片沿横向和纵向的厚度和浓度不均,因此只适合实验室应用.垂直式反应器通过高速旋转或近距离喷射,可以均匀分配反应物浓度,并抑制热对流涡旋.其主要困难
其他文献
高悬的达摩克理斯剑与课程融合像个螃蟹讲解与分析。
期刊
根据RTD峰值电压Vp与串联电阻Rs、外加电阻Rex的关系,提出一种新的测量RTD串联电阻Rs的方法.实验证明该方法具有准确、简便、快速等特点.文中给出Vp与Rs,Rex关系的推导,Rs测量原理