大面积纳米硅基薄膜太阳电池及制造设备的开发

来源 :太阳能学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cxz2004
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该文工作主要集中在用于制备非晶硅和纳米硅薄膜太阳电池的多腔室、大面积等离子体沉积系统的研发.在制备工艺方面,系统研究沉积压力、电极间距、射频电源功率等参数对薄膜沉积速率、膜厚的非均匀性、晶化率的影响;在硬件设计方面,对不同弦高气盒,密封结构气盒和非密封结构气盒进行系统比较,研究对薄膜的非均匀性、沉积速率的影响.通过工艺参数及硬件优化,最终得到沉积速率接近5 (A)s、晶化率约为60%、晶化率及膜厚的非均匀性均小于10%的纳米硅薄膜.以此膜层制备技术为基础,在1.1 m×1.4 m面积的透明导电玻璃基板上制备出初始功率为154.97 W(全面积转换效率10.1%)的非晶硅/纳米硅双结叠层太阳电池.
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