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Fe^3＋离子敏感Ge-Sb-Se-Fe系薄膜的真空热蒸发制备研究

来源 :真空科学与技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：meinv123321

【摘 要】

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本文通过在低温下烧结靶材,利用电子束蒸发方法制备了Ge/Sb/Se/Fe比例可控的Fe3+离子敏感Ge-Sb-Se-Fe系薄膜.用XRD和PHS-9V型酸度计研究薄膜的结构和性能.研究表明薄膜的Fe3+

【作 者】

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张海芳 杜丕一 翁文剑 韩高荣 赵高凌 

【机 构】

：

浙江大学材料系硅材料国家重点实验室

【出 处】

：

真空科学与技术学报

【发表日期】

：

2004年6期

【关键词】

：

离子 FE^3+ 薄膜 可控 结构和性能 线性响应 电子束蒸发 真空热蒸发 PHS 靶材 Fe3+ ion-sensitive thin film Vacuum 

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本文通过在低温下烧结靶材,利用电子束蒸发方法制备了Ge/Sb/Se/Fe比例可控的Fe3+离子敏感Ge-Sb-Se-Fe系薄膜.用XRD和PHS-9V型酸度计研究薄膜的结构和性能.研究表明薄膜的Fe3+离子敏感性能为(50.375±4.125) mV/十倍浓度,线性响应Fe3+浓度范围(10-2～10-6) mol/L.

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