【摘 要】
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基于密度泛函理论第一性原理和平面波超软赝势法,采用广义梯度近似法构建了非金属元素N、S单掺,以及N-S共掺的SnO_(2)的超晶胞,分析这三类超晶胞的焓变、能带图、态密度、电
【机 构】
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河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室,河北工业大学河北省电磁场与电器可靠性重点实验室
【基金项目】
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国家自然基金资助项目(51777057)
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基于密度泛函理论第一性原理和平面波超软赝势法,采用广义梯度近似法构建了非金属元素N、S单掺,以及N-S共掺的SnO_(2)的超晶胞,分析这三类超晶胞的焓变、能带图、态密度、电荷布局以及导电率。理论结果表明,N和S单掺杂以及N-S共掺杂都可以使SnO_(2)的带隙变小,能带紧密,而N-S双掺杂的效果最好。其中,在价带中部S原子和N原子的掺入均引入了新能级,S原子的轨道和N原子的轨道与Sn轨道发生杂化,使得电子转移加剧。价带顶被S原子的3p轨道和N原子,2p轨道占据,会有更多的空穴载流子,价带顶部向上移动。N
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