PDP列驱动芯片能量恢复效率模型

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【摘要】

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为了分析PDP列驱动芯片的能量恢复效率,提出了2种分析模型。DPLD（double-channel p-type lateral extended drain MOS）管是列驱动芯片中能量恢复电路的核心元器件。CRC（电容-电

【作者】

：

华国环刘清惓

【机构】

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南京信息工程大学电子与信息工程学院

【出处】

：

液晶与显示

【发表日期】

：

2014年6期

【关键词】

：

分析模型 PDP列驱动芯片 DPLD管寻址功耗能量恢复效率 analytical model PDP data driver IC DPLD trans

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为了分析PDP列驱动芯片的能量恢复效率,提出了2种分析模型。DPLD（double-channel p-type lateral extended drain MOS）管是列驱动芯片中能量恢复电路的核心元器件。CRC（电容-电阻-电容）等效电路模型适用于漏电流能力较弱的DPLD管;VCCS（压控电流源）模型适用于漏电流能力较强的DPLD管;测试结果显示CRC和VCCS模型都具备较高的精度,模型误差分别是2.26%和4.04%。CRC模型揭示了影响列驱动芯片能量恢复效率的因素有3个,分别是：充电时间、沟道电

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