【摘 要】
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采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BST材料作为栅绝缘层,研制了BST/Al GaN/GaNMIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试以及与同样厚度Si N MIS结构对比,分析了高介
【机 构】
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南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室,电子科技大学微电子与固体电子学院
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采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BST材料作为栅绝缘层,研制了BST/Al GaN/GaNMIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试以及与同样厚度Si N MIS结构对比,分析了高介电BST材料作为栅绝缘层对Al GaN/GaN MIS HEMT器件性能的影响。使用高介电BST材料作为栅绝缘层可以改善器件的线性特性和跨导特性,提高器件栅的正向工作电压,并有效降低Al GaN/GaN HEMT器件的夹断电压。同时,由于只引入很薄一层高介电材料作为栅绝缘层,器件的高频特性没有显著降低,BST/Al
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