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据物理学家组织网3月29日报道,瑞士和意大利科学家在3月30日出版的《科学》杂志上指出,他们在硅上构造单片半导体结构方面取得了重大突破,成功在硅上集成了50微米厚锗,新结构几乎完美无缺,最新研究将让包括x射线技术在内的多个领域受益。
科学家首次成功在硅上集成50微米厚锗
【摘 要】
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据物理学家组织网3月29日报道,瑞士和意大利科学家在3月30日出版的《科学》杂志上指出,他们在硅上构造单片半导体结构方面取得了重大突破,成功在硅上集成了50微米厚锗,新结构
【出 处】
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电子元件与材料
【发表日期】
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2012年5期
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