高频反应溅射氮化钽铝薄膜

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用钽膜制作薄膜电阻元件,具有制作方便,性能优良等优点。但是用来制造精密电阻网络,则其温度系数和长期稳定性尚嫌不足,为此,发展了氮化钽薄膜电阻,改善了温度系数。R.G.Duckworth于1969年研制了钽铝合金电阻,提高了薄膜电阻长期稳定性。不过,这种薄膜在高方阻时稳定性 With tantalum film production of thin-film resistors, with easy production, excellent performance and so on. However, for the manufacture of a precision resistor network, the temperature coefficient and the long-term stability are not enough. Therefore, the tantalum nitride thin film resistor has been developed to improve the temperature coefficient. R.G. Duckworth developed the tantalum aluminum alloy resistance in 1969, has improved the long-term stability of the membrane resistance. However, this film is stable at high heights
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