【摘 要】
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本论文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了Ca掺杂SnS2材料的电子结构和光吸收性质。计算结果表明,采用optB86b + vdWDF交换关联泛函计算得到的晶格结构与实验
【基金项目】
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国家自然科学基金(11747158),国家自然科学基金(11547123).
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本论文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了Ca掺杂SnS2材料的电子结构和光吸收性质。计算结果表明,采用optB86b + vdWDF交换关联泛函计算得到的晶格结构与实验结果符合的很好,说明包含范德瓦尔斯作用的vdW-DF泛函,能够更好的描述层状SnS2材料的物理性质。态密度分析表明,Ca掺杂在费米能级之上引入了未占据的杂质态,材料表现为p型半导体。光吸收性质的计算结果表明,掺杂后体系在带边附近吸收系数大于未掺杂体系,表明采用低价金属Ca掺杂的方法,能够有效提高SnS2材料在可见光区的光吸收能
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