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文中介绍了一种基于锗硅BICMOS的宽带低噪声放大器的设计。此放大器工作在2．7GHz-3．5GHz的频带，采用0．18μm的锗硅工艺和cascode结构来增加其反向隔离度，并且使用了射极电阻负反馈和电阻并联反馈改善其带宽和线性度。仿真结果展示了其在通带范围内16．3dB的增益和小于-10dB的端口反射。此放大器噪声系数为2．8dB左右，并使用5V电源电压。