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随着第三代通信技术的发展，可与硅片集成的滤波器受到了越来越多的关注。基于ZnO/SiO2/Si结构设计、制作了声表面波（SAW）射频（RF）滤波器，其工艺与普通的IC工艺兼容，具有与其他电路集成在一块芯片上的可能。测试结果显示滤波器的中心频率可达1.12GHz，带宽达10%，插损为11dB。
1，1GHz声表面波滤波器的设计和制作
【摘 要】
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随着第三代通信技术的发展，可与硅片集成的滤波器受到了越来越多的关注。基于ZnO/SiO2/Si结构设计、制作了声表面波（SAW）射频（RF）滤波器，其工艺与普通的IC工艺兼容，具有与其他电路集
【机 构】
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清华大学微电子学研究所
【出 处】
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压电与声光
【发表日期】
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2002年2期
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