【摘 要】
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采用补偿法对六甲基二硅胺烷(hexamethyedisilane，HMDS)和二氯二甲基硅烷(dichlorodimeth siliane，DCDMS)化学表面修正恒压电晕充电硅基氮化硅(Si3N4)薄膜驻极体及氮化硅／二氧化
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采用补偿法对六甲基二硅胺烷(hexamethyedisilane，HMDS)和二氯二甲基硅烷(dichlorodimeth siliane，DCDMS)化学表面修正恒压电晕充电硅基氮化硅(Si3N4)薄膜驻极体及氮化硅／二氧化硅(Si3N4／SiO2)薄膜驻极体的电荷储存稳定性进行了比较性的研究．实验结果表明，经过化学表面修正后，驻极体薄膜在高湿环境中的电荷储存稳定性显著提高；在低于200℃时，HMDS和DCDMS化学表面修正的效果相当；DCDMS化学表面处理具有较高的耐热性．
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