【摘 要】
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采用近空间升华法在 GaAs （100）衬底上外延生长CdZnTe 单晶厚膜,用化学腐蚀的方法去除掉GaAs（100）衬底后,对CdZnTe 外延膜上、下表面的形貌、成分、结构以及电学性能进行了表征分
【机 构】
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西北工业大学凝固技术国家重点实验室
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采用近空间升华法在 GaAs （100）衬底上外延生长CdZnTe 单晶厚膜,用化学腐蚀的方法去除掉GaAs（100）衬底后,对CdZnTe 外延膜上、下表面的形貌、成分、结构以及电学性能进行了表征分析。SEM和EDS 的结果表明,CdZnTe 外延膜表面平滑致密且膜中成分分布较均匀；红外透过成像分析的结果表明, CdZnTe厚膜中无明显的 Te 夹杂相；X 射线摇摆曲线、PL 谱的结果表明,随着薄膜厚度的增加,CdZnTe外延膜中的晶体缺陷减少,应变弛豫,结晶质量提高,通过增加膜厚可以获得高质量的 Cd
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