【摘 要】
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介绍了几种不同工艺流程:利用光刻胶做掩蔽的P+掩模注入工艺,利用ILD做掩蔽的接触孔P+注入工艺,利用LTO形成的Spacer做屏蔽的平面氧化层P+工艺。分析了这几种工艺流程与UIS能
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介绍了几种不同工艺流程:利用光刻胶做掩蔽的P+掩模注入工艺,利用ILD做掩蔽的接触孔P+注入工艺,利用LTO形成的Spacer做屏蔽的平面氧化层P+工艺。分析了这几种工艺流程与UIS能力的关系。由于受光刻工艺影响存在差异,这三种做法最后形成的Deep body区域的横向尺寸差异很大,导致了其UIS能力差异也很大。最后,通过仿真,验证了平面氧化层P+工艺确实具有最强的UIS能力,与理论分析完全一致。
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