【摘 要】
：
为庆祝“六一”国际儿童节,中国少年儿童出版社和少年儿童出版社出版了或将要出版一批好的儿童读物,作为给孩子们的礼物。下面就是他们推荐的一部分书籍。有些书,我们在这一
论文部分内容阅读
为庆祝“六一”国际儿童节,中国少年儿童出版社和少年儿童出版社出版了或将要出版一批好的儿童读物,作为给孩子们的礼物。下面就是他们推荐的一部分书籍。有些书,我们在这一期上发表了评介文章,不再列入书目。
To celebrate the June 1 International Children’s Day, China Children’s Publishing House and Children’s Publishing House published or is about to publish a series of good children’s books as gifts to children. Here are some of the books they recommend. Some books, we have commented on this issue, no longer included in the bibliography.
其他文献
本文介绍巨磁阻效应的机理及同CMOS集成构成MRAM的工作原理,在指出MRAM同各种半导体存储器相比具有一系列优点的同时,给出优良的抗辐射非易失存储器-SOI基MRAM的构想。
介绍了一种具有同时检测10个电平信号,输出为0～5V负脉冲信号,同时还具有将其它信号进行放大功能的检测电路。
巨胚水稻“上师大5号”的巨胚基因(gec)编码链与正常胚水稻相比,在+125处有一个单碱基突变.根据这个单核苷酸的差异,本研究建立了一个CAPS (Alu Ⅰ)分子标记及检测方法.研究
本文论述了抗辐射VDMOS产品的研制。为提高VDMOS器件的抗γ总剂量辐射要求,在版图设计和工艺设计时考虑了降低影响器件的抗γ总剂量能力的因素,通过抗辐射设计和工艺加固,使
本文主要研究了全耗尽SOIMOSFET的总剂量的抗辐射特性,特别是不同的偏置条件下器件对总剂量的抗辐射的能力。着重分析了埋氧层以及在埋氧层/顶硅界面处的电荷以及伴随的电场
砷化镓集成电路因其良好的电性能和抗辐射能力,广泛应用于各种领域,尤其是航天航空方面.但电路的抗辐射能力与设计和工艺密切相关,我所在对对单管器件进行了辐照试验,获得可
本文分析了当前主流半导体加工工艺中的离子注入、干法刻蚀和光刻胶灰化等工艺过程对抗辐照功率VDMOS栅氧化层产生损伤的机理,针对提高抗辐照功率VDMOS栅的可靠性进行了栅氧
用钴-60γ射线对功率MOS晶体管进行辐照实验,研究了器件阀值电压、漏源击穿电压、截止漏电流等电参数在不同偏置条件下的退化规律.对实验结果进行了分析讨论.实验表明,在相同
本文对硅NPN双极晶体管(C2060)室温下不同集电极偏置电流(Ic)条件下伽马辐照的总剂量效应进行了研究。结果表明,在不同的偏置电流下辐照,NPN晶体管的退化程度有较大的差异,在
本文以intel公司生产的80C196KC20为主要试验件,分别在程控计算机系统和单片机测试系统上进行γ总剂量试验,比较两系统之间的总剂量损伤差异,进一步探讨80C196KC20的总剂量损