【摘 要】
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随着超LSI时代的到来,器件尺寸正在逐年地向微细化发展,可以认为,对于下一代有代表性的器件1MRAM来说,1～1.5μm的微细加工技术肯定是必不可少的。对于这种高水平的超LSI器件,
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随着超LSI时代的到来,器件尺寸正在逐年地向微细化发展,可以认为,对于下一代有代表性的器件1MRAM来说,1～1.5μm的微细加工技术肯定是必不可少的。对于这种高水平的超LSI器件,既要实现高集成化,同时又要高速化,而且成品率又不能降低,故对布线要求也就更加严格,为了满足这些要求,有必要确定一种新的多层布线技术。
With the advent of the ultra-LSI era, device sizes are being miniaturized year by year, and it is considered that 1 to 1.5 μm microfabrication technology is indispensable for the next generation representative 1MRAM device. For such a high level of ultra LSI device, it is necessary to achieve high integration, but also to speed, and yield can not be reduced, so the wiring requirements will be more stringent, in order to meet these requirements, it is necessary to determine a new Multi-layer wiring technology.
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