磁控溅射技术由于它的“高速、低温”两个显著特点，国外在七十年代它的应用已得到了迅速的发展。目前，国内也正在积极地研制磁控溅射装置，并已成功地应用于生产、科研各个领域［１］。作者在北京仪器厂的磁控溅射实验台上，对直流平面磁控溅射作了系统地研究：设计了体积小的电磁铁，为磁控源提供０～７００高斯连续可变的磁场，并提出它与永磁铁相比的另外二个优点：一是有利于自动控制放电参数的稳定；二是有利于铁磁材料的沉积，增加靶厚并提高了沉积速率；详细地测定了 Ｃ、 Ａｌ、Ｃｅ、Ｔｉ、Ｆｅ等不同靶材的Ｉ－Ｖ放电特性曲线，对公式Ｉ＝ＫＶｎ的ｎ、Ｋ值进行了计算和定性的分析，使用朗谬尔静电探针对等离子体进行了诊断，等离子区的电子温度在ｌｅｖ左右，电子密度在１０９～１０１０个／厘米３的范围内；使用石英晶体膜厚仪测定了 Ａｌ、 Ｃｕ、 Ｔｉ、和 Ｆｅ的沉积速率，并讨论了功率效率与靶──片距、压强及磁场强度的关系，用热传导法测定了Ａｌ、ＣＵ、Ｔｉ靶的热流密度，得出溅射粒子流的功卒（热流）密度仅占放电功率密度的３％左右，而普通二极溅射约占４０％，从而说明了磁控溅射的“低温”特性。由热流密度简单地估算了溅射原子的平均动能，Ａｌ、ＣＵ、和Ｔｉ靶溅原子的平?