【摘 要】
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提出了一种In0.4Ga0.6N/GaN同型异质结构IMPATT二极管.传统GaN基IMPATT器件中存在P型GaN制造工艺不成熟的问题,本研究方案可成为GaN基IMPATT器件的替代设计方案.详细研究了In0.4Ga0.6N/GaN异质结和PN结两种不同结构IMPATT二极管的直流、交流输出特性.结果 表明,In0.4Ga0.6N/GaN IMPATT二极管在不使用P型GaN的情况下,可达到优于传统PN结IMPATT二极管的性能.
【机 构】
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西北大学信息科学与技术学院,西安710127;西安电子科技大学微电子学院,西安710071
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提出了一种In0.4Ga0.6N/GaN同型异质结构IMPATT二极管.传统GaN基IMPATT器件中存在P型GaN制造工艺不成熟的问题,本研究方案可成为GaN基IMPATT器件的替代设计方案.详细研究了In0.4Ga0.6N/GaN异质结和PN结两种不同结构IMPATT二极管的直流、交流输出特性.结果 表明,In0.4Ga0.6N/GaN IMPATT二极管在不使用P型GaN的情况下,可达到优于传统PN结IMPATT二极管的性能.
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