界面氧化层相关论文
在现代高性能模拟集成电路设计中,噪声水平是影响电路性能的关键因素之一.研究了双多晶自对准高速互补双极NPN器件中发射板结构对......
在考虑了多晶／单晶之间界面氧化层的基础上，本文提出了一个新的多晶硅发射区双极晶体管发射区渡越时间的解析模型，用推导出的标志电荷......
本文在已提出的综合解析模型基础上，引入各相关参数特别是多晶－单晶之间的界面态俘获截面与温度关系的实验结果，给出了分析ＰＥＴ电流增益与......
利用Yih－FenyChyan等的PET大注入模型，并考虑了发射极串联电阻RTE和多晶硅／硅界面氧化层延迟时间τox对器件特性的影响，编制了程序。结......
采用X射线衍射和X射线光电子能谱实验手段对不同厚度的NiTi薄膜相变温度的变化进行了分析.结果表明在相同衬底温度和退火条件下,3......
本文用背散射技术、霍尔效应和X光衍射法测量As离子注入多晶Si浅结工艺在制备D.I2902电路中的基本参数:As在多晶Si中的扩散系数、......
用阳极氧化方法在N-InP与金属之间夹入薄层自体氧化物,得到了势垒高度φB>0.70eV,理想因子n=1.1～1.4的肖特基结,并用DLTS法在该结中......
在包括了更多的物理效应基础上，本文提出了一个新的多晶硅发射区晶体管的解析模型．把物理参数分为与多晶／单晶硅界面有关的界面物理参......
通过对NPN型多晶硅发射极晶体管的工艺过程进行分析,对多晶淀积工艺过程提出严格的控制方案,使多晶界面氧化层厚度稳定在0.6~0.8 n......
通过一次涂搪法在Q235低碳钢表面制备出700～900℃烧结的搪瓷涂层.采用XRD、SEM、EDS、显微维氏硬度计、落球装置及电化学工作站研究......
由于Ge/Si存在4.2％晶格失配,Si基外延Ge中的穿透位错密度(TDD)极高,导致器件暗电流偏大.低温Ge/Si异质键合可以通过抑制失配位错传......
针对多晶硅发射极晶体管实际工艺中出现的电流增益异常波动问题,首先从原理上进行了分析,其次通过与正常批次PCM数据进行对比,发现......
颗粒增强铝基复合材料由于其优良的机械性能和热物理性能及其能通过工艺调控对其进行设计从而在电子封装领域具有广泛的应用前景。......
学位
通过一次涂搪法在Q235低碳钢表面制备出700~900℃烧结的搪瓷涂层。采用XRD、SEM、EDS、显微维氏硬度计、落球装置及电化学工作站研......
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搪瓷涂层是涂覆于金属表面的搪瓷釉料经700～850℃高温烧结后形成的无机非金属涂层。因其具有耐高温抗冲击、耐腐蚀抗氧化、耐摩擦抗......
由于GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)具有高击穿电压、高载流子密度、高载流子饱和速度等优势,目前已在高频大功率器件应用领域取得......
