【摘 要】
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研究了对ZnO压敏陶瓷微观结构和压敏电压梯度的影响。研究发现,Sb2O3掺杂可有效提高ZnO压敏陶瓷的压敏电压梯度,但Sb2O3掺杂太多会使材料的非线性特性劣化。SiO+2掺杂也可显
【基金项目】
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广东省科技计划项目(2013B010403006,2012B091100393)
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研究了对ZnO压敏陶瓷微观结构和压敏电压梯度的影响。研究发现,Sb2O3掺杂可有效提高ZnO压敏陶瓷的压敏电压梯度,但Sb2O3掺杂太多会使材料的非线性特性劣化。SiO+2掺杂也可显著提高ZnO压敏陶瓷的压敏电压梯度,除了提高压敏电压梯度外,SiO2掺杂还可改善材料的电压非线性特性。MgO掺杂可进一步提高材料的压敏电压梯度。当Sb2O3,Si O2和Mg O掺杂量分别为2.8 mol%,0.3 mol%和0.2 mol%时,获得了压敏电压梯度、电压非线性系数和漏电流分别为470 V/mm,89和0.12μ
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