【摘 要】
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设计并验证了亚阈区MOS管作反馈大电阻的电阻反馈跨阻型(RTIA)非制冷热释电红 外焦平面读出电路.在此基础上,对采用浅耗尽(Native) MOS管实现同样功能的RTIA进行仿真.与采用
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054
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设计并验证了亚阈区MOS管作反馈大电阻的电阻反馈跨阻型(RTIA)非制冷热释电红 外焦平面读出电路.在此基础上,对采用浅耗尽(Native) MOS管实现同样功能的RTIA进行仿真.与采用特殊高阻薄膜材料的RTIA不同,两种设计方案实现的RTIA不增加工艺步骤,有效降低了芯片的制造成本,再配合两管共源放大器,构建了像元下前置高增益放大器.此外,相对于亚阈区MOS RTIA,浅耗尽MOS RTIA可节省偏置电路,设计更加简洁.亚阈区MOS RTIA经流片验证,在5V电源电压下,实现增益为40 dB、带宽为60 kHz、输出摆幅为3V,符合混合或单片集成热释电探测器阵列的设计要求.
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