【摘 要】
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通过溶胶凝胶技术制备了不同Ga掺杂含量的Zn O透明导电薄膜,研究了Ga掺杂对GZO薄膜结构、电学及光学性能的影响.从X射线衍射光谱分析,所有薄膜均表现为六方纤锌矿结构,经过氢
【机 构】
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兰州大学物理科学与技术学院磁学与磁性材料教育部重点实验室
【基金项目】
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Supported by the National Natural Science Foundation of China（51371093）, Program for Changjiang Scholars and Innovative Research Team in University（IRT1251）
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通过溶胶凝胶技术制备了不同Ga掺杂含量的Zn O透明导电薄膜,研究了Ga掺杂对GZO薄膜结构、电学及光学性能的影响.从X射线衍射光谱分析,所有薄膜均表现为六方纤锌矿结构,经过氢气退火处理之后,薄膜的电学性能均得到提高,当Ga掺杂含量为5 at%时,得到薄膜的电阻率为3.410×10^-3Ω·cm.利用可变入射角椭圆偏振光谱仪（VASE）在270-1 600 nm波长范围内研究了GZO薄膜折射率和消光系数的变化,采用双振子模型对实验数据进行拟合.
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