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研究制作了一种利用AlInAs氧化物作为限制的1．3btm边发射AlGaInAs多量子阱激光器．有源层上方和下方的AlInAs波导层被氧化作为电流限制层．这种结构提供了良好的侧向电流限制和光场限制．当电流通道为5btm宽时，获得了12．9mA的阈值电流和0．47W／A的斜率效率．与具有相同宽度的脊条的脊波导结构的激光器相比，这种AlInAs氧化物限制的激光器的阈值电流降低了31．7％，斜率效率稍微有所提高．低阈值和高效率的特性表明，氧化A1InAs波导层能够提供良好的侧向电流限制．这种AllnAs氧化物限