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基于MBE生长的一种Be掺杂InGaAs基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs DHBT

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xq_wang

【摘 要】

：

报道了一种以InGaAs为基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs双异质结晶体管,获得了直流性能良好的器件.其共射直流增益β达到100,残余电压Voffset约为0.4V,膝点电压Vknee约为1V,击

【作 者】

：

苏树兵 徐安怀 刘新宇 齐鸣 刘训春 王润梅 

【机 构】

：

中国科学院微电子研究所,中国科学院上海微系统与信息技术研究所

【出 处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2006年6期

【关键词】

：

MBE InGaAs基区 双异质结双极晶体管 MBE  InGaAs base  double hetero-junction bipolar junction 

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报道了一种以InGaAs为基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs双异质结晶体管,获得了直流性能良好的器件.其共射直流增益β达到100,残余电压Voffset约为0.4V,膝点电压Vknee约为1V,击穿电压BVceo超过10V,器件的基极和集电极电流理想因子分别为nb=1.16,nc=1.11,可应用于低功耗、高功率领域.

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