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本文在表面基模型基础上，借用半导体物理中复合／产生概念，提出了表现基／复合中心，工研究了含两种类型表面基的Ｓｉ３Ｎ４绝缘体及其两种面基的比率对Ｓｉ３Ｎ４栅ＰＨ－ＩＳＦＥＴ敏感性能和性的影响，其结果与实验结果相符。对改善ＰＨ－ＩＳＦＥＴ传感器的敏感特性具有实际指导意义。
电解液—Si3N4绝缘体界面表面基／复合中心模型的研究
【摘 要】
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本文在表面基模型基础上，借用半导体物理中复合／产生概念，提出了表现基／复合中心，工研究了含两种类型表面基的Ｓｉ３Ｎ４绝缘体及其两种面基的比率对Ｓｉ３Ｎ４栅ＰＨ－ＩＳＦＥＴ敏感性能和性的影响，其结果与实验结果相
【机 构】
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中科院上海冶金所,东南大学微电子中心
【出 处】
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电子学报
【发表日期】
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1996年11期
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