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八羟基喹啉锌非晶薄膜器件的制备和开关特性
八羟基喹啉锌非晶薄膜器件的制备和开关特性
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wyzwayjx
【摘 要】
:
介绍了八羟基喹啉锌(Znq2)有机薄膜及器件的制备方法,X射线衍射谱指出,用真空蒸发方法制备的Znq2薄膜呈非晶态结构;通过对Znq2有机薄膜I-V曲线的分析,揭示了Znq2薄膜的开关特性.基于
【作 者】
:
时军朋
温振超
宋长安
陈殷
彭应全
【机 构】
:
兰州大学物理科学与技术学院,兰州大学信息科学与工程学院
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2005年10期
【关键词】
:
八羟基喹啉锌
开关特性
X射线衍射
I-V特性曲线
Znq2 switching effect X-ray diffraction I-V curve
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介绍了八羟基喹啉锌(Znq2)有机薄膜及器件的制备方法,X射线衍射谱指出,用真空蒸发方法制备的Znq2薄膜呈非晶态结构;通过对Znq2有机薄膜I-V曲线的分析,揭示了Znq2薄膜的开关特性.基于分子在电场作用下的空间取向的变化,对这一现象提出了一种可能的理论解释.
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