碲镉汞As掺杂技术研究

来源 :激光与红外 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tiamflying
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
对于MBE原位掺杂,HgCdTe的N型掺杂比较容易,而P型掺杂相对来说难度比较大。作为掺杂杂质的As表现出两性掺杂行为,在富Te的条件下生长,As有很大的几率进入到阳离子位置处。而As必须进入Te位才能参与导电,表现为P型。因此,采取了多种方法,现已获得10^16-10^18坤cm^-3掺杂水平的P型材料。在成功实现As的掺杂后,研究人员对激活退火做了一些研究。研究发现,需要在汞压下经过高温退火,As原子才能占据Te位成为受主杂质。对As在碲镉汞中的扩散系数也进行了研究。
其他文献
应用大肠杆菌(Escherichia coli,E.coli)BL21(DE3)表达系统实现特异腐质霉(Humicola insolens,H.insolens)来源角质酶的重组表达。对重组角质酶进行酶学性质研究,发现其最适pH为8.5
以三层平板理论为基础,得出半导体激光器阵列(LDA)快轴方向发散角的简化模型,从该模型中可以看出,对LDA的快轴发散角的影响因素主要有:单个发光单元的波导结构(包括有源层厚度、
用细胞贴附式及内面向外式膜片钳技术记录牛蛙球囊单离毛细胞侧膜的离子通道。测出三种钾离子单通道电流,其电导值分别为19-23PS,46PS及78PS。反转电位为-65±20mV。大电导型与小电导型钾离子通道
随着红外探测与制导技术的飞速发展,对于舰船红外特征的研究具有越来越重要的军事意义。在简化舰船动态传热模型的基础之上,模拟出舰船表面瞬时温度变化与目标辐射强度的周向分
通过生产实践,归纳了UG基于实体的模具数控加工常用策略,并结合实际的应用介绍了典型模具加工工序和相关参数的设置。
从大功率蓝光激光器的特点入手分析了Nd:YAG准三能级特性,通过理论上对比三种不同结构激光晶体内的温度场分布,指出复合晶体在降低激光晶体热沉积方面的有效性.并通过采用复合
期刊
三山岛矿区地下水质有海水、第四系水、基裂岩隙水、地下热水、淡水等。为了适应矿区生产的需要,需对水质进行分析。但是,常规的水质简分析法只能鉴别水的类型,不能提供其它
文章详细介绍了数字微镜系统总体设计,并进行了实验验证。数字微镜如果结合高质量的高倍精缩投影光学系统,完全可实现亚微米级衍射微光学元件的制作。最后对系统特点和系统误差
由于塑料制品两外侧表面有侧凹,所以必须设计滑块进行侧向分型与抽芯,又由于是侧浇口,选用大浇口模架,所以决定采用类似于哈夫式型腔的弹压定模斜滑块结构,如何保证斜滑块配