【摘 要】
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基于流体动力学能量输运模型,利用二维仿真软件MEDICI对深亚微米槽栅PMOS器件的结构参数,如凹槽拐角、负结深、沟道和衬底掺杂浓度对器件抗热载流子特性的影响进行了研究,并
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基于流体动力学能量输运模型,利用二维仿真软件MEDICI对深亚微米槽栅PMOS器件的结构参数,如凹槽拐角、负结深、沟道和衬底掺杂浓度对器件抗热载流子特性的影响进行了研究,并从器件物理机制上对研究结果进行了解释.研究发现,随着凹槽拐角、负结深的增大和沟道杂质浓度的提高,器件的抗热载流子能力增强.而随着衬底掺杂浓度的提高,器件的抗热载流子性能降低.结构参数影响了电场在槽栅MOS器件的分布和拐角效应,从而影响了载流子的运动并使器件的热载流子效应发生变化.
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