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常规加热技术生产的碳化硅晶片能耗大、成本高，所以在国内外市场上碳化硅晶片的供应量少、价格高，限制了碳化硅晶片在复合材料中的广泛应用。采用粉末电热体加热技术，以SiO2微粉和碳黑为原料，在较低合成温度1900℃下、较短的合成时间3h内得到了直径为50～200μm、厚度为5～20μm的碳化硅晶片，并探讨了合成碳化硅晶片的影响因素。研究表明，该加热技术的推广与应用，可以有效地实现碳化硅晶片的低成本、规模化生产。